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聯(lián)發(fā)科表態(tài):下一代芯片獨(dú)家采用英特爾 EMIB-T 封裝,預(yù)計(jì) 2027 年 Q4 量產(chǎn)

2026/6/2 20:38:31 來(lái)源:IT之家 作者:問(wèn)舟 責(zé)編:問(wèn)舟

IT之家 6 月 2 日消息,在 COMPUTEX 2026 期間舉行的高盛日活動(dòng)上,聯(lián)發(fā)科宣布其下一代芯片將僅采用英特爾的 EMIB-T 先進(jìn)封裝技術(shù),不再使用臺(tái)積電的 CoWoS 方案。

聯(lián)發(fā)科在會(huì)議中透露,該下一代芯片項(xiàng)目的流片(tape-out)目標(biāo)定于 2026 年第四季度,并計(jì)劃在 2027 年第四季度進(jìn)入量產(chǎn)階段。

高盛指出,聯(lián)發(fā)科企業(yè)級(jí) ASIC 業(yè)務(wù)進(jìn)展超出預(yù)期,次世代芯片設(shè)計(jì)復(fù)雜度大幅提升,將全面采用 EMIB-T 等先進(jìn)封裝技術(shù),預(yù)計(jì)今年 Q4 送樣、2027 年第四季度量產(chǎn)。盡管目前尚不清楚這一項(xiàng)目具體涵蓋哪些芯片,但業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為會(huì)涉及定制 AI 芯片和 CPU。

英特爾將 EMIB 定位為臺(tái)積電 CoWoS 的直接競(jìng)爭(zhēng)方案。兩者的技術(shù)路徑存在顯著差異:CoWoS 采用大面積硅中介層(interposer)來(lái)連接不同組件,而 EMIB 則選擇性地通過(guò)嵌入式硅橋(silicon bridge)連接 GPU 核心與內(nèi)存等組件。

英特爾宣稱,去除中介層這一設(shè)計(jì)能夠降低制造復(fù)雜度和整體成本。除聯(lián)發(fā)科外,谷歌的下一代 TPU 定制 AI 芯片也在評(píng)估采用 EMIB-T 進(jìn)行封裝的可能性。

郭明錤指出,英特爾已將 98% 的良率設(shè)定為 EMIB-T 工藝的基準(zhǔn),目的是使其生產(chǎn)成熟度能夠與倒裝芯片球柵陣列(FCBGA)工藝相媲美。谷歌方面也將密切關(guān)注 EMIB-T 的良率表現(xiàn),因?yàn)檫@直接關(guān)系到其在與英偉達(dá)競(jìng)爭(zhēng)中的成本優(yōu)勢(shì) —— 更高的良率意味著每批次可用的芯片更多,從而降低單顆芯片的生產(chǎn)成本。根據(jù)此前的供應(yīng)鏈報(bào)道,英特爾 EMIB-T 先進(jìn)封裝的當(dāng)前驗(yàn)證良率約 90%,但距離 98% 的量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)仍有明顯差距,從 90% 跨越至 98% 的難度被認(rèn)為遠(yuǎn)大于從零起步的階段。

與此同時(shí),聯(lián)發(fā)科的這一決定也在供應(yīng)鏈層面產(chǎn)生了連鎖反應(yīng)。據(jù)中國(guó)臺(tái)灣《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道,愛(ài)普和力積電兩家廠商已確認(rèn)進(jìn)入英特爾 EMIB-T 封裝供應(yīng)鏈,并與聯(lián)發(fā)科共同切入谷歌新一代 TPU 項(xiàng)目。此前,鈺創(chuàng)科技的矽電容產(chǎn)品據(jù)稱已在聯(lián)發(fā)科為谷歌設(shè)計(jì)的 AI 芯片項(xiàng)目中扮演關(guān)鍵角色。IT之家此前也報(bào)道過(guò),聯(lián)發(fā)科為谷歌開(kāi)發(fā)的 TPU v9x "Humu Fish" 推理芯片項(xiàng)目同樣采用了英特爾的 EMIB-T 技術(shù)。

值得注意的是,谷歌在此輪封裝策略調(diào)整中同樣展現(xiàn)出積極的成本管控姿態(tài)。據(jù)供應(yīng)鏈消息,谷歌正嘗試?yán)@開(kāi)聯(lián)發(fā)科,直接向臺(tái)積電采購(gòu) Humufish 晶圓,以削減中間環(huán)節(jié)的加價(jià)成本。這一動(dòng)作反映出谷歌從過(guò)去相對(duì)寬松的采購(gòu)策略向精打細(xì)算的成本控制者轉(zhuǎn)變,意圖在對(duì)標(biāo)英偉達(dá)的 AI 芯片競(jìng)爭(zhēng)中建立起成本優(yōu)勢(shì)。

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