IT之家 1 月 17 日消息，韓媒 IT Chosun 昨日報道稱，三星電子的第六代 10 納米級 DRAM 內(nèi)存制程工藝（IT之家注：即 1c nm）目前的良率已提升至約 60%，突破了量產(chǎn)盈虧平衡點。

此舉被視為一項重要里程碑，因為三星電子 HBM4 內(nèi)存便基于 1c nm DRAM。DRAM Die 的更高良率有助于三星在 HBM4 上獲得更多的利潤，進一步提升業(yè)績表現(xiàn)。

報道表示，三星電子在 1c DRAM 上一改近期以良率優(yōu)先、謹慎推動量產(chǎn)進程的策略，回到了快速進入量產(chǎn)以更積極回應(yīng)市場動態(tài)的傳統(tǒng)模式，這有利于從英偉達等重要客戶手中贏得訂單。

TrendForce 集邦咨詢此前表示，在規(guī)格要求提升、現(xiàn)有 HBM3E 平臺需求旺盛的推動下，HBM 內(nèi)存的量產(chǎn)時間點最快將于 2026Q1 末到來，三星電子、SK 海力士、美光仍有時間精進產(chǎn)品良率表現(xiàn)。

廣告聲明：文內(nèi)含有的對外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。