IT之家 10 月 23 日消息，據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)新聞》今天報道，業(yè)內(nèi)人士透露，三星、SK 海力士等主要供應(yīng)鏈已通知客戶，將在 2025 年第四季度把 DRAM 和 NAND 閃存的價格上調(diào)最多 30%。

花旗銀行、摩根士丹利等研究機(jī)構(gòu)已經(jīng)在近期的半導(dǎo)體業(yè)界分析報告中，預(yù)估 25Q4 的 DRAM 平均售價上調(diào) 25-26%，相較原預(yù)測上調(diào)超過 10 個百分點(diǎn)，進(jìn)一步強(qiáng)化了上游價格預(yù)期。

業(yè)內(nèi)人士分析道，這波漲價潮的主要支撐因素是 AI 帶動的存儲需求爆發(fā)，谷歌、微軟、亞馬遜、Meta、OpenAI 等大型公司都試圖大舉投資 AI 數(shù)據(jù)中心，而數(shù)據(jù)中心對高容量、高性能的 DRAM 需求正在急速攀升。

業(yè)內(nèi)預(yù)測，2030 年的 HBM 市場規(guī)模將達(dá)到 1000 億美元（IT之家注：現(xiàn)匯率約合 7095.42 億元人民幣），對比今年的 300-400 億美元（現(xiàn)匯率約合 2128.63 - 2838.17 億元人民幣）攀升三倍，而明年正式出貨的 12 層堆疊 HBM4 單價達(dá)到 500 美元，對比當(dāng)前世代 HBM3E 的 300 美元（現(xiàn)匯率約合 2129 元人民幣）漲幅達(dá) 60% 以上。

同時業(yè)界對 AI 的投資趨勢也有轉(zhuǎn)移，將數(shù)據(jù)訓(xùn)練為主導(dǎo)擴(kuò)展至推理服務(wù)化階段，這種轉(zhuǎn)變不僅進(jìn)一步刺激了 HBM 的需求，還帶動了 DRAM 的同步增長。

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