IT之家 5 月 5 日消息，據(jù) X 平臺(tái)博主 Jukanlosreve 爆料，三星 Galaxy S26 手機(jī)確實(shí)會(huì)搭載 Exynos 2600 處理器，但是主要在歐洲銷(xiāo)售。這意味著其他國(guó)家和地區(qū)的機(jī)型，或?qū)⒗^續(xù)搭載驍龍?zhí)幚砥鳌?/p>

IT之家注意到，上個(gè)月，有消息稱三星計(jì)劃 2025 年 11 月量產(chǎn)首款采用 2 納米工藝的 Exynos 2600 芯片。若 Galaxy S26 機(jī)型能順利搭載 Exynos 2600，三星有望借此展示 2 納米技術(shù)實(shí)力，吸引更多客戶。

Exynos 2600 芯片采用 Gate-All-Around（GAA）技術(shù)，相較傳統(tǒng) FinFET 工藝更先進(jìn)。這種技術(shù)通過(guò)四面環(huán)繞晶體管結(jié)構(gòu)，提升芯片性能并降低功耗，適合高性能芯片需求。

三星此前已率先實(shí)現(xiàn) 3 納米 GAA 量產(chǎn)，但受限于低良率，未能扭轉(zhuǎn)代工業(yè)務(wù)的虧損局面。據(jù)悉，2 納米工藝的良率已從年初的 20-30% 提升至 40% 以上，遠(yuǎn)超 3 納米時(shí)期的表現(xiàn)。

然而，三星與臺(tái)積電的差距依然明顯。臺(tái)積電的 2 納米初期良率已達(dá) 60%，而量產(chǎn)通常需良率穩(wěn)定在 70-80%。三星需在下半年進(jìn)一步優(yōu)化工藝，以縮小差距。

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